一、實驗內(nèi)容：

1. 測量PN結(jié)擴散電流與結(jié)電壓關(guān)系，較精確地測量玻爾茲曼常數(shù)；

2. 學習用運算放大器組成電流-電壓轉(zhuǎn)換電路測量弱電流；

3. 測量PN結(jié)結(jié)電壓與溫度的關(guān)系，求出結(jié)電壓隨溫度變化的靈敏度；

4. 近似求得0K時半導體（硅）材料的禁帶寬度。

二、主要技術(shù)參數(shù)：

1．直流電源：0～1.5V可調(diào)直流電源，1mA～3mA可調(diào)直流電源一組

2．液晶顯示：液晶屏分辨率：128×64像素

3．電壓顯示：2組，量程：0～4095mV；0～40.95V

4．恒溫裝置：干井式，控溫范圍：室溫～80攝氏度，控溫分辨率0.1攝氏度

一、實驗內(nèi)容：

1. 測量PN結(jié)擴散電流與結(jié)電壓關(guān)系，較精確地測量玻爾茲曼常數(shù)；

2. 學習用運算放大器組成電流-電壓轉(zhuǎn)換電路測量弱電流；

3. 測量PN結(jié)結(jié)電壓與溫度的關(guān)系，求出結(jié)電壓隨溫度變化的靈敏度；

4. 近似求得0K時半導體（硅）材料的禁帶寬度。

二、主要技術(shù)參數(shù)：

1．直流電源：0～1.5V可調(diào)直流電源，1mA～3mA可調(diào)直流電源一組

2．液晶顯示：液晶屏分辨率：128×64像素

3．電壓顯示：2組，量程：0～4095mV；0～40.95V

4．恒溫裝置：干井式，控溫范圍：室溫～80攝氏度，控溫分辨率0.1攝氏度